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Artículos Regulares


Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2011, 31(2): 134-137

ESTUDIO DE LA VARIACIÓN DE LA BRECHA DE ENERGÍA EN FUNCIÓN DE ALTAS TEMPERATURAS (300-750K) DE LOS SEMICONDUCTORES CuInVI2 (S, Se, Te)
(HIGH TEMPERATURE DEPENDENCE (300-750)k OF THE ENERGY GAP OF SEMICONDUCTORS COMPOUND CuInVi2 (S, Se, Te))

Chrystian Power Medina, Pedro Grima Gallardo, Marcos Antonio Muñoz Pinto, Ildefonso Molina Molina

Online: 28-03-2011

GA-112

Abstract


Las medidas de absorción óptica en función de la temperatura (300 hasta 750)K sobre muestras semiconductoras de brecha de energía directa CuInVI2 (S, Se y Te) fueron realizadas en el espectro de luz visible. Estos resultados son utilizados para determinar el valor de la brecha fundamental de energía directa Eg en función de la temperatura T, por medio de modelos teóricos clásicos. El parámetro dEg/dT obtenido en el rango de altas temperaturas en los semiconductores ternarios CuInS2, CuInSe2 y CuInTe2 son -3.3x10-4eVK-1, -2.1x10-4eVK-1 y -5.3x10-4eVK-1 respectivamente, estos resultados serán comparados con los reportados hasta los momentos en rangos menores de temperaturas (T<300K).

Optical absorption measurements as a function of high temperature (300 to 750)K on semiconductor direct energy gap CuInVI2 (S, Se and Te) were performed in the visible light spectrum. These results are used to determine the value of the fundamental direct energy gap Eg as a function of temperature T, through classical theoretical models. The dEg/dT parameter obtained in the range of high temperature in the ternary semiconductor compounds CuInS2, CuInSe2 and CuInTe2 are -3.3x10-4eVK-1,-2.1x10-4eVK-1 and -5.3x10-4eVK-1 respectively, these results will be compared with those reported to date in lower ranges of temperatures (T <300K)


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