Print Friendly and PDFPrint Friendly

Artículos Regulares


Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2015, 35(1): 34-38

CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL DEL SEMICONDUCTOR TERNARIO Cu2GeSe4
(CRYSTAL STRUCTURE OF THE TERNARY SEMICONDUCTOR Cu2GeSe4)

Gerzon E. Delgado, Jines E. Contreras, Gustavo Marcano, Carlos Rincón, Luis Nieves

Online: 17-02-2014

GA-522

Abstract


El compuesto semiconductor ternario Cu2GeSe4 ha sido caracterizado mediante difracción de rayos-X en muestras policristalinas y refinado por el método Rietveld. Este compuesto cristaliza en el sistema cúbico, grupo espacial F3m (N°216), Z = 1, con parámetros de celda unidad a = 5.5815(3) Å y V = 173.88 (3) Å3. El refinamiento de 10 parámetros instrumentales y estructurales convergió a las figuras de mérito Rp= 4.4%, Rwp= 6.8%, Rexp= 5.5%, RB= 6.0% y S= 1.2 para 4001 intensidades y 28 reflexiones independientes. La estructura del Cu2GeSe4 pude ser descrita como derivada de la blenda de zinc donde los átomos de Zn están reemplazados por átomos de Cu y Ge, y por vacancias catiónicas.

The ternary semiconductor compound Cu2GeSe4 has been characterized by means of X-ray powder diffraction and refined by the Rietveld method. This compound crystallizes in the cubic system, space group F3m (Nº 216), Z = 1, with unit cell parameters a = 5.5815(3) Å and V = 173.88 (3) Å3. The refinement of 10 instrumental and structural parameters converged to the figures of merit Rp= 4.4%, Rwp= 6.8%, Rexp= 5.5%, RB= 6.0% and S= 1.2 for 4001 step intensities and 28 independent reflections. The Cu2GeSe4 structure can be described as derivative of the zincblende where Zn atoms are replaced by Cu and Ge atoms, and cationic vacancies.


PDFPDF (336KB)

Abstract Accessed: 2259 times

Article Downloaded: 10735 times


Cite: citation