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Artículos Regulares


Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2016, 36(2): 217-224

SOBRE LA ESTRUCTURA DEL SEMICONDUCTOR TlInS2
(ON THE STRUCTURE OF THE SEMICONDUCTOR TlInS2)

Analio Dugarte-Dugarte, Jines Contreras, Graciela Diaz de Delgado, Miguel Delgado Quiñones, Ildefonso Molina-Molina, Christian Power

Online: 18-05-2016

GA-740

Abstract


En la revisión de un estudio estructural del semiconductor TlInS2 reportado recientemente se encontró que la celda unidad propuesta no indexa satisfactoriamente el patrón de difracción de rayos X de polvo registrado en dicho estudio, para el mencionado semiconductor. En el presente trabajo se propone una celda unidad monoclínica diferente que es capaz de indexar correctamente los 28 máximos registrados del patrón de difracción reportado. Los parámetros de esta celda monoclínica son: a=10,884(4) Å, b=10,921(5) Å, c=15,113(6) Å, β=100,54(8)°. Estos parámetros son similares a los de una de las celdas reportadas previamente para este material. El refinamiento estructural realizado usando el Método de Rietveld demostró que la celda encontrada es la correcta y que la estructura del material estudiado es la misma que la reportada previamente en el grupo espacial C2/c (No. 15).

After reviewing a recently reported structural study of the semiconductor TlInS2, it was found that the unit cell proposed in the study does not satisfactorily index the X-ray powder diffraction pattern recorded for the above mentioned semiconductor. In this contribution, a different monoclinic unit cell that is able to properly index the 28 diffraction maxima of the registered pattern is presented. The parameters of the monoclinic unit cell obtained are: a=10.884(4) Å, b=10.921(5) Å, c=15.113(6) Å, β=100.54 (8)°, which are very similar to the parameters of one of the unit cells previously reported for this material. The structure refinement carried out using the Rietveld Method showed that the structure of the material under study is the same one reported previously in space group C2/c (No. 15).


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