VARIACION DEL MAGNETISMO EN EL COMPUESTO Cr1-XGaXN DEBIDO A LA PRESIÓN: UN ESTUDIO POR DFT

Resumen

Reportamos un estudio de primeros principios para estudiar los efectos de la presión sobre las propiedades electrónicas y magnéticas del compuesto Cr1-xGaxN (0,25, 0,50 y 0,75) en la estructura wurtzita. Usamos el método Ondas Plana Aumentadas y Linealizadas Potencial Completo (FP-LAPW) en el marco de la Teoría del Funcional de la Densidad DFT. Hallamos que la constante de red del compuesto aumenta linealmente  con la concentración de Ga. El  momento magnético cambia para una presión crítica. Para x = 0,75, un cambio bastante abrupto comienza en el momento magnético de 0 a 2,2 µB a la presión Pcr = 22,650 GPa. Para las concentraciones de Ga x = 0,25  y  0,50  el  momento  magnético  aumenta  gradualmente  cuando  la  presión  disminuye  hacia  su  valor  de  equilibrio.  Estudiamos  la dependencia con la presión de transición hacia la fase ferromagnética cerca del inicio del momento magnético para cada compuesto Cr1-xGaxN. Calculamos la densidad de estados con la concentración de Ga considerando las dos contribuciones de polarización de espín. Los resultados revelan que a x = 0,75 el compuesto se hace conductor para la polarización de espín arriba y que la densidad de estados de espín  abajo  es  cero  en  el  nivel  de  Fermi.  A  esta  concentración  en  el  compuesto  presenta  un  comportamiento  half-metallic,  por consiguiente  este  material  podría  ser  potencialmente  usado  como  inyector  de  espín. A  presiones  P  >  Pcr  el  compuesto  exhibe  un comportamiento metálico.