CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL DEL SEMICONDUCTOR TERNARIO Cu2GeSe4

Autores/as

  • Gerzon E. Delgado Laboratorio de Cristalografía, Departamento de Química, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Mérida, Venezuela
  • Jines E. Contreras Laboratorio de Cristalografía, Departamento de Química, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Mérida, Venezuela
  • Gustavo Marcano Laboratorio de Cristalografía, Departamento de Química, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Mérida, Venezuela
  • Carlos Rincón Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Fí­sica, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Mérida, Venezuela
  • Luis Nieves Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Mérida 5101, Venezuela.

Resumen

El  compuesto semiconductor ternario Cu2GeSe4 ha sido caracterizado mediante difracción de rayos-X  en  muestras policristalinas y  refinado por el método Rietveld. Este compuesto cristaliza en el sistema  cúbico,  grupo espacial F 4 3m (N°216), Z = 1, con parámetros de celda unidad a = 5.5815(3) Å y V = 173.88 (3) Å3. El refinamiento de 10 parámetros instrumentales  y estructurales convergió a las  figuras de mérito Rp= 4.4%, Rwp= 6.8%, Rexp= 5.5%, RB= 6.0% y S= 1.2 para 4001 intensidades y 28 reflexiones independientes. La estructura del Cu2GeSe4 pude ser descrita como derivada de la blenda de zinc donde los átomos de Zn están reemplazados por átomos de Cu y Ge, y por vacancias catiónicas.

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Publicado

2014-02-17

Cómo citar

Delgado, G. E., Contreras, J. E., Marcano, G., Rincón, C., & Nieves, L. (2014). CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL DEL SEMICONDUCTOR TERNARIO Cu2GeSe4. Revista Latinoamericana De Metalurgia Y Materiales, 34–38. Recuperado a partir de https://www.rlmm.org/ojs/index.php/rlmm/article/view/522

Número

2015, 35(1)

Sección

Artí­culos Regulares

Licencia

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