SOBRE LA ESTRUCTURA DEL SEMICONDUCTOR TlInS2

Resumen

En la revisión de un estudio estructural del semiconductor TlInS2 reportado recientemente se encontró que la celda unidad propuesta no  indexa  satisfactoriamente  el  patrón  de  difracción  de rayos  X  de  polvo  registrado  en dicho  estudio,  para el mencionado  semiconductor.  En  el  presente  trabajo  se  propone  una  celda  unidad  monoclínica  diferente  que  es  capaz  de indexar  correctamente  los  28  máximos  registrados  del  patrón  de  difracción  reportado.  Los  parámetros  de  esta  celda monoclínica son: a=10,884(4) Å, b=10,921(5) Å, c=15,113(6) Å, β=100,54(8)°. Estos parámetros son similares  a los de una  de  las  celdas  reportadas  previamente  para  este  material.  El  refinamiento  estructural realizado  usando  el  Método  de Rietveld  demostró  que  la  celda  encontrada  es  la  correcta  y  que  la  estructura  del  material  estudiado  es  la  misma  que  la reportada previamente en el grupo espacial C2/c (No. 15).