ON THE STRUCTURE OF THE SEMICONDUCTOR TlInS2

Authors

  • Analio Dugarte-Dugarte Universidad de Los Andes Facultad de Ciencias Departamento de Química Laboratorio de Cristalografía-LNDRX Mérida 5101
  • Jines Contreras Universidad de Los Andes Facultad de Ciencias Departamento de Química Laboratorio de Cristalografía-LNDRX Mérida 5101
  • Graciela Diaz de Delgado Universidad de Los Andes Facultad de Ciencias Departamento de Química Laboratorio de Cristalografía-LNDRX Mérida 5101
  • Miguel Delgado Quiñones Universidad de Los Andes Facultad de Ciencias Departamento de Química Laboratorio de Cristalografía-LNDRX Mérida 5101
  • Ildefonso Molina-Molina Universidad de Los Andes Facultad de Ciencias Departamento de Química Laboratorio de Cristalografía-LNDRX Mérida 5101
  • Christian Power Universidad de Los Andes Facultad de Ciencias Departamento de Química Laboratorio de Cristalografía-LNDRX Mérida 5101

DOI:

https://doi.org/10.5281/zenodo.10031789

Abstract

After reviewing a recently reported structural study of the semiconductor TlInS2, it was found that the unit cell proposed in the  study  does  not  satisfactorily  index  the  X-ray  powder  diffraction  pattern  recorded  for  the  above  mentioned semiconductor.  In  this  contribution,  a  different  monoclinic  unit  cell  that  is  able  to  properly  index  the  28  diffraction maxima  of  the  registered  pattern  is  presented.  The  parameters  of  the  monoclinic  unit  cell  obtained  are:  a=10.884(4) Å, b=10.921(5) Å, c=15.113(6) Å, β=100.54 (8)°, which are very similar to the parameters of one of the unit cells previously reported for this material. The structure refinement carried out using the Rietveld Method showed that the structure of the material under study is the same one reported previously in space group C2/c (No. 15).

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Author Biography

Miguel Delgado Quiñones, Universidad de Los Andes Facultad de Ciencias Departamento de Química Laboratorio de Cristalografía-LNDRX Mérida 5101

Egresado cum laude en 1980 de la Licenciatura de Quí­mica de la Facultad de Ciencias de la Universidad de Los Andes, donde actualmente es Profesor Titular. En 1988 obtuvo un Doctorado en Ciencia de los Materiales en el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT). Miembro activo del personal docente y de investigación de la ULA desde 1979.

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Published

2016-05-18

How to Cite

Dugarte-Dugarte, A., Contreras, J., Diaz de Delgado, G., Delgado Quiñones, M., Molina-Molina, I., & Power, C. (2016). ON THE STRUCTURE OF THE SEMICONDUCTOR TlInS2. LatinAmerican Journal of Metallurgy and Materials, 217–224. https://doi.org/10.5281/zenodo.10031789

Issue

2016, 36(2)

Section

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